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SPB80N04S2L-03

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OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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Référence SPB80N04S2L-03
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 6011 pcs
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Référence SPB80N04S2L-03 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 6011 pcs Fiche technique SP(P,B)80N04S2L-03
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 80A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms SP000016354
SPB80N04S2L03T
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7930pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 213nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V Description détaillée N-Channel 40V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

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