SPU01N60C3BKMA1
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| Référence | SPU01N60C3BKMA1 |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.467 | $0.413 | $0.326 | $0.253 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | SPU01N60C3BKMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 94102 pcs | Fiche technique | SPD,SPU01N60C3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO251-3 | Séries | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 11W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms | SP000012110 SPU01N60C3 SPU01N60C3-ND SPU01N60C3IN SPU01N60C3IN-ND SPU01N60C3X SPU01N60C3XK |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 800mA (Tc) |
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