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1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17
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Référence 1SS355VMTE-17
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1596681 pcs
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Référence 1SS355VMTE-17 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1596681 pcs Fiche technique UMD2M TE17 Taping Spec1SS355VM
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2V @ 100mA
Tension - inverse (Vr) (max) 80V Package composant fournisseur UMD2
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 4ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-90, SOD-323F Autres noms 1SS355VMTE-17-ND
1SS355VMTE-17TR
1SS355VMTE17
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 80V 100mA Surface Mount UMD2
Courant - fuite, inverse à Vr 100nA @ 80V Courant - Rectifié moyenne (Io) 100mA
Capacité à Vr, F 3pF @ 0.5V, 1MHz Numéro de pièce de base 1SS355

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