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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2SAR586D3TL1

2SAR586D3TL1

2SAR586D3TL1
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Référence 2SAR586D3TL1
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 146550 pcs
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Référence 2SAR586D3TL1 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 146550 pcs Fiche technique 2SAR586D3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 320mV @ 100mA, 2A Transistor Type PNP
Package composant fournisseur TO-252 Séries -
Puissance - Max 10W Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Autres noms 2SAR586D3TL1TR
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 200MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 5A 200MHz 10W Surface Mount TO-252 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 5A

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