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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2SCR293PT100

2SCR293PT100

2SCR293PT100
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Référence 2SCR293PT100
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS NPN 30V 1A MPT3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 372098 pcs
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Référence 2SCR293PT100 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS NPN 30V 1A MPT3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 372098 pcs Fiche technique 2SCR293P
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA Transistor Type NPN
Package composant fournisseur MPT3 Séries -
Puissance - Max 2W Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-243AA Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 320MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 1A 320MHz 2W Surface Mount MPT3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 1A

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