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2SCR513P5T100

2SCR513P5T100
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Référence 2SCR513P5T100
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 300697 pcs
Référence Prix
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Référence 2SCR513P5T100 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 300697 pcs Fiche technique MPT3 T100 Taping Spec2SCR513P5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA Transistor Type NPN
Package composant fournisseur MPT3 Séries -
Puissance - Max 500mW Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-243AA Autres noms 2SCR513P5T100CT
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 360MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 1A 360MHz 500mW Surface Mount MPT3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 1A

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