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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2SD2662T100

2SD2662T100

2SD2662T100
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Référence 2SD2662T100
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 304141 pcs
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Référence 2SD2662T100 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 304141 pcs Fiche technique 2SD2662
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A Transistor Type NPN
Package composant fournisseur MPT3 Séries -
Puissance - Max 2W Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-243AA Autres noms 2SD2662T100TR
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 330MHz Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 1.5A 330MHz 2W Surface Mount MPT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA, 2V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 1.5A Numéro de pièce de base 2SD2662

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