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BS2103F-E2

BS2103F-E2
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Référence BS2103F-E2
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 114225 pcs
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Référence BS2103F-E2 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 114225 pcs Fiche technique SOP8 Taping SpecBS2103F
Catégorie Circuits intégrés (ci) Tension - Alimentation 10 V ~ 18 V
Package composant fournisseur 8-SOP Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 200ns, 100ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Autres noms BS2103F-E2TR
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) Nombre de conducteurs 2
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 17 Weeks Tension logique - VIL, VIH 1V, 2.6V
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Non-Inverting
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600V Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Configuration pilotée Half-Bridge Description détaillée Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
Current - Peak Output (Source, Évier) 60mA, 130mA courant de charge Independent

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