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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTA114EEFRATL

DTA114EEFRATL

DTA114EEFRATL
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Référence DTA114EEFRATL
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1036916 pcs
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Référence DTA114EEFRATL Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1036916 pcs Fiche technique EMT3 TL Taping SpecDTA114EEFRA Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur EMT3 Séries Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 150mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-75, SOT-416 Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 50mA
Numéro de pièce de base DTA114

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