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DTA114GKAT146

DTA114GKAT146
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Référence DTA114GKAT146
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1500303 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
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Référence DTA114GKAT146 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1500303 pcs Fiche technique DTA114GUA/GKA
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur SMT3 Séries -
Résistance - Base (R1) 10 kOhms Puissance - Max 200mW
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms DTA114GKAT146CT Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base DTA114

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