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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTA144GUAT106

DTA144GUAT106

DTA144GUAT106
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Référence DTA144GUAT106
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1602886 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)		1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
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250 pcs500 pcs1000 pcs 
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Référence DTA144GUAT106 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1602886 pcs Fiche technique UMT3 T106 Taping SpecDTA144GUA/GKA
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur UMT3 Séries -
Résistance - Base (R1) 47 kOhms Puissance - Max 200mW
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte SC-70, SOT-323
Autres noms DTA144GUAT106CT Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base DTA144

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