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Référence DTB743EETL
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 955280 pcs
Référence Prix
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Référence DTB743EETL Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 955280 pcs Fiche technique DTB743EE,EM
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur EMT3 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 4.7 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 150mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-75, SOT-416 Autres noms DTB743EETL-ND
DTB743EETLTR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 260MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 115 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 200mA
Numéro de pièce de base DTB743

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