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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTC143EEBHZGTL

DTC143EEBHZGTL

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Référence DTC143EEBHZGTL
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1743753 pcs
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Référence DTC143EEBHZGTL Fabricant LAPIS Semiconductor
La description NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1743753 pcs Fiche technique DTC143EEBHZGEMT3 TL Taping Spec
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode Package composant fournisseur EMT3F (SOT-416FL)
Séries Automotive, AEC-Q101 Résistance - Base de l'émetteur (R2) 4.7 kOhms
Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte SC-89, SOT-490
Autres noms DTC143EEBHZGTLTR Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL) Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) - Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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