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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTC144WUAT106

DTC144WUAT106

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Référence DTC144WUAT106
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1581626 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)		1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
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250 pcs500 pcs1000 pcs 
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Référence DTC144WUAT106 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1581626 pcs Fiche technique UMT3 T106 Taping SpecDTC144Wx(A)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur UMT3 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms Résistance - Base (R1) 47 kOhms
Puissance - Max 200mW Emballage Original-Reel®
Package / Boîte SC-70, SOT-323 Autres noms DTC144WUAT106DKR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 30mA Numéro de pièce de base DTC144

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