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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTD143TKT146

DTD143TKT146

DTD143TKT146
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Référence DTD143TKT146
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 675325 pcs
Référence Prix
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Référence DTD143TKT146 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 675325 pcs Fiche technique DTD143TK
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SMT3 Séries -
Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms DTD143TKT146-ND
DTD143TKT146TR		 Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 200MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA Numéro de pièce de base DTD143

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