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EMA5T2R

EMA5T2R
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Référence EMA5T2R
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 888088 pcs
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Référence EMA5T2R Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 888088 pcs Fiche technique EMA5, UMA5N, FMA5AEMT5 T2R Taping Spec
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur EMT5 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms
Puissance - Max 150mW Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Autres noms EMA5T2RCT
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base MA5

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