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EMB75T2R

EMB75T2R
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Référence EMB75T2R
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1313933 pcs
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Référence EMB75T2R Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1313933 pcs Fiche technique EMT6 T2R Taping SpecEMB75
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur EMT6 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 150mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 Autres noms EMB75T2RTR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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