EMF17T2R
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| Référence | EMF17T2R |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.035 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EMF17T2R | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 708205 pcs | Fiche technique | EMF17(N) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA | Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Package composant fournisseur | EMT6 | Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms | Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max | 150mW | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz, 140MHz | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA, 150mA |
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