ES6U41T2R
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| Référence | ES6U41T2R |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 30V 1.5A WEMT6 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.054 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | ES6U41T2R | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 1.5A WEMT6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 410895 pcs | Fiche technique | ES6U41 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±12V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-WEMT | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V | Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 1.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) |
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