MSM5117400F-60TDR1L
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| Référence | MSM5117400F-60TDR1L |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | IC DRAM 16M PARALLEL |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | MSM5117400F-60TDR1L | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | IC DRAM 16M PARALLEL | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5302 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | 110ns |
| Tension - Alimentation | 4.5 V ~ 5.5 V | La technologie | DRAM |
| Séries | - | Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 2 (1 Year) | Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 16Mb (4M x 4) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | DRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | DRAM Memory IC 16Mb (4M x 4) Parallel 30ns | Temps d'accès | 30ns |
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- Partie#:
202W232-25/225-0 - Fabricant:
Agastat Relays / TE Connectivity - La description:
BOOT MOLDED - En stock:
6598