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QSH29TR

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Référence QSH29TR
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 166070 pcs
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Référence QSH29TR Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 166070 pcs Fiche technique QSH29TSMT6 TR Taping Spec
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 100mA Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95) Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) - Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 1.25W Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition - Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 70V 500mA 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 500 @ 200mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA Numéro de pièce de base QSH29

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