R6008FNX
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| Référence | R6008FNX |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.423 | $1.269 | $1.04 | $0.843 | $0.711 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | R6008FNX | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 45355 pcs | Fiche technique | R6008FNX |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220FM | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 4A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
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