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R6015ENX

R6015ENX
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Référence R6015ENX
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET N-CH 600V 15A TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 56775 pcs
Référence Prix
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Référence R6015ENX Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET N-CH 600V 15A TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 56775 pcs Fiche technique R6015ENX
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FM Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 6.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)
Emballage Bulk Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms R6015ENXCT
R6015ENXCT-ND
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 17 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 15A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)

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  • Fabricant:Harwin
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  • En stock:287705
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