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RB238T100HZC9

RB238T100HZC9
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Référence RB238T100HZC9
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 103688 pcs
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Référence RB238T100HZC9 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 103688 pcs Fiche technique RB238T100HZTO220FND 3Pin C9 Taping Spec
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 860mV @ 20A
Tension - inverse (Vr) (max) 100V Package composant fournisseur TO-220FN
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries Automotive, AEC-Q101
Temps de recouvrement inverse (trr) 24.7ns Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Schottky Configuration diode 1 Pair Common Cathode
Description détaillée Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 40A Through Hole TO-220-3 Full Pack Courant - fuite, inverse à Vr 20µA @ 100V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 40A

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