RCD040N25TL
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| Référence | RCD040N25TL |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | RCD040N25TL | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5832 pcs | Fiche technique | RCD040N25 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | CPT3 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | RCD040N25TLTR | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 250V | Description détaillée | N-Channel 250V 4A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
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