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RD3U060CNTL1

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Référence RD3U060CNTL1
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description NCH 250V 6A POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 75855 pcs
Référence Prix
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Référence RD3U060CNTL1 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description NCH 250V 6A POWER MOSFET État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 75855 pcs Fiche technique RD3U060CN
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 3A, 10V Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms RD3U060CNTL1CT Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 250V
Description détaillée N-Channel 250V 6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)

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