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RDR005N25TL

RDR005N25TL
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Référence RDR005N25TL
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 220182 pcs
Référence Prix
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Référence RDR005N25TL Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 220182 pcs Fiche technique RDR005N25
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TSMT3 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 Ohm @ 250mA, 10V Dissipation de puissance (max) 540mW (Ta)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte SC-96
Autres noms RDR005N25TLCT Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 250V Description détaillée N-Channel 250V 500mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta)

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