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RF2001T4S

RF2001T4S
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Référence RF2001T4S
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FN
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 76262 pcs
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Référence RF2001T4S Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FN État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 76262 pcs Fiche technique RF2001T4S
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.6V @ 20A
Tension - inverse (Vr) (max) 400V Package composant fournisseur TO-220FN
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 30ns Emballage Bulk
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 400V 20A Through Hole TO-220FN Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 400V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 20A Capacité à Vr, F -

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