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RFU5TF6S

RFU5TF6S
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Référence RFU5TF6S
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 98138 pcs
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Référence RFU5TF6S Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 98138 pcs Fiche technique RFU5TF6S
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 2.8V @ 5A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur TO-220NFM
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 25ns Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-2 Full Pack Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 5A Through Hole TO-220NFM Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 5A Capacité à Vr, F -

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