RGTH00TS65GC11
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| Référence | RGTH00TS65GC11 |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.471 | $1.312 | $1.181 | $1.076 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | 2500 pcs | ||
| $0.971 | $0.871 | $0.735 | $0.70 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | RGTH00TS65GC11 | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | IGBT 650V 85A 277W TO-247N | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 43719 pcs | Fiche technique | RGTH00TS65TO-247N IGBT Taping Spec |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A | Condition de test | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 39ns/143ns | énergie de commutation | - |
| Package composant fournisseur | TO-247N | Séries | - |
| Puissance - Max | 277W | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 15 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard | type de IGBT | Trench Field Stop |
| gate charge | 94nC | Description détaillée | IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 200A | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 85A |
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