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RQ3E180AJTB

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Référence RQ3E180AJTB
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 133318 pcs
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Référence RQ3E180AJTB Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 133318 pcs Fiche technique HSMT8 TB Taping SpecRQ3E180AJ
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 11mA
Vgs (Max) ±12V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-HSMT (3.2x3) Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 30W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms RQ3E180AJTBTR Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 40 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 30A (Tc)

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