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RR2LAM6STFTR

RR2LAM6STFTR
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Référence RR2LAM6STFTR
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 297739 pcs
Référence Prix
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Référence RR2LAM6STFTR Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 297739 pcs Fiche technique RR2LAM6STFPMDTM TR Taping Spec
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1V @ 2A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur PMDTM
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Séries Automotive, AEC-Q101
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte SOD-128
Autres noms RR2LAM6STFCT Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 20 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 600V 2A Surface Mount PMDTM
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 600V Courant - Rectifié moyenne (Io) 2A
Capacité à Vr, F -

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