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RTU002P02T106

RTU002P02T106
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Référence RTU002P02T106
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 405870 pcs
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Référence RTU002P02T106 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 405870 pcs Fiche technique RTU002P02
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±12V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur UMT3 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 250mA, 4.5V Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte SC-70, SOT-323
Autres noms RTU002P02T106TR Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
type de FET P-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V Tension drain-source (Vdss) 20V
Description détaillée P-Channel 20V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta)

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