RW1E015RPT2R
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| Référence | RW1E015RPT2R |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.03 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | RW1E015RPT2R | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 730362 pcs | Fiche technique | RW1E015RP |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-WEMT | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 400mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms | RW1E015RPT2RTR | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | P-Channel 30V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) |
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