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RZF013P01TL

RZF013P01TL
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Référence RZF013P01TL
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 594361 pcs
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Référence RZF013P01TL Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 594361 pcs Fiche technique RZF013P01TUMT3 TL Taping Spec
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Vgs (Max) ±10V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TUMT3 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta)
Emballage Original-Reel® Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads
Autres noms RZF013P01TLDKR Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 6V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
type de FET P-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V Tension drain-source (Vdss) 12V
Description détaillée P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.3A (Ta)

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