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SCS312AHGC9

SCS312AHGC9
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Référence SCS312AHGC9
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
État sans plomb / État RoHS
In Stock 24293 pcs
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Référence SCS312AHGC9 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 24293 pcs Fiche technique SCS312AHG
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - inverse (Vr) (max) 650V
Package composant fournisseur TO-220ACP La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries - Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Package / Boîte TO-220-2 Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 23 Weeks Statut sans plomb Lead free
Type de diode Silicon Carbide Schottky Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole TO-220ACP
Courant - fuite, inverse à Vr 60µA @ 650V Courant - Rectifié moyenne (Io) 12A (DC)
Capacité à Vr, F 600pF @ 1V, 1MHz

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