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SP8M3FU6TB

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Référence SP8M3FU6TB
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 99778 pcs
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Référence SP8M3FU6TB Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 99778 pcs Fiche technique SP8M3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur 8-SOP Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5A, 10V Puissance - Max 2W
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SP8M3FU6TB-ND
SP8M3FU6TBTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A, 4.5A
Numéro de pièce de base *M3

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