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UMH5NTR

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Référence UMH5NTR
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1385650 pcs
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Référence UMH5NTR Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1385650 pcs Fiche technique IMH5A, UMH5N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur UMT6 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms Résistance - Base (R1) 22 kOhms
Puissance - Max 150mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base *MH5

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