CSD13306W
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| Référence | CSD13306W |
|---|---|
| Fabricant | N/A |
| La description | MOSFET N-CH 12V 3.5A |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | 6000 pcs | 15000 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.075 | $0.07 | $0.066 | |||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | CSD13306W | Fabricant | N/A |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 12V 3.5A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 325728 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-DSBGA (1x1.5) | Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V | Dissipation de puissance (max) | 1.9W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 6-UFBGA, DSBGA |
| Autres noms | 296-49597-2 CSD13306W-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 35 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 6V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 12V |
| Description détaillée | N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.5A (Ta) |
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