CSD18502Q5BT
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| Référence | CSD18502Q5BT |
|---|---|
| Fabricant | N/A |
| La description | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.091 | $0.987 | $0.793 | |||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | CSD18502Q5BT | Fabricant | N/A |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 43198 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-VSON-CLIP (5x6) | Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 30A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 3.2W (Ta), 156W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Autres noms | 296-49603-1 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 35 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5070pF @ 20V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | N-Channel 40V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Ta) |
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