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Référence CSD18535KTT
Fabricant N/A
La description MOSFET N-CH 60V 200A
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 32738 pcs
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Référence CSD18535KTT Fabricant N/A
La description MOSFET N-CH 60V 200A État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 32738 pcs Fiche technique
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DDPAK/TO-263-3 Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 100A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Autres noms 296-48121-1 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 2 (1 Year)
Délai de livraison standard du fabricant 35 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6620pF @ 30V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée N-Channel 60V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Ta)

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