CSD19501KCS
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| Référence | CSD19501KCS |
|---|---|
| Fabricant | N/A |
| La description | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 |
| État sans plomb / État RoHS | Demande de vérification d'inventaire / conforme RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.799 | $0.644 | $0.58 | $0.451 | $0.374 | |
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | CSD19501KCS | Fabricant | N/A |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | État sans plomb / État RoHS | Demande de vérification d'inventaire / conforme RoHS |
| Quantité disponible | 89589 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220-3 | Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 60A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 217W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Autres noms | 296-37286-5 CSD19501KCS-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 35 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Request inventory verification / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 40V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Description détaillée | N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Ta) |
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