CSD19532KTTT
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| Référence | CSD19532KTTT |
|---|---|
| Fabricant | N/A |
| La description | MOSFET N-CH 100V TO-263-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 50 pcs | 100 pcs | 250 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.899 | $0.809 | $0.719 | |||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | CSD19532KTTT | Fabricant | N/A |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V TO-263-3 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 46368 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | DDPAK/TO-263-3 | Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 90A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 250W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Autres noms | 296-43211-2 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 2 (1 Year) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 35 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5060pF @ 50V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 200A (Ta) |
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