CSD23201W10
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| Référence | CSD23201W10 |
|---|---|
| Fabricant | N/A |
| La description | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | CSD23201W10 | Fabricant | N/A |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4315 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | -6V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 4-DSBGA (1x1) | Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V | Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | 4-UFBGA, DSBGA |
| Autres noms | 296-24258-1 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 12V | Description détaillée | P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.2A (Tc) |
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