LM25101ASDX/NOPB
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| Référence | LM25101ASDX/NOPB |
|---|---|
| Fabricant | N/A |
| La description | IC GATE DVR HI/LO SIDE 10WSON |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 4500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.528 | |||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | LM25101ASDX/NOPB | Fabricant | N/A |
|---|---|---|---|
| La description | IC GATE DVR HI/LO SIDE 10WSON | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 62528 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Tension - Alimentation | 9 V ~ 14 V |
| Package composant fournisseur | 10-WSON (4x4) | Séries | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 430ns, 260ns | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 10-WDFN Exposed Pad | Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs | 2 | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 17 Weeks |
| Tension logique - VIL, VIH | 2.3V, - | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Non-Inverting | Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) | 100V |
| Type de porte | N-Channel MOSFET | Configuration pilotée | Half-Bridge |
| Description détaillée | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-WSON (4x4) | Current - Peak Output (Source, Évier) | 3A, 3A |
| courant de charge | Independent | Numéro de pièce de base | LM25101 |
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- Partie#:
HGT1S2N120CN - Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - La description:
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK - En stock:
4867