TPS1101DR
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| Référence | TPS1101DR |
|---|---|
| Fabricant | N/A |
| La description | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.378 | |||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | TPS1101DR | Fabricant | N/A |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 85083 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +2V, -15V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 791mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.7V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 15V |
| Description détaillée | P-Channel 15V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Ta) |
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