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DS1225AB-200+

DS1225AB-200+
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Référence DS1225AB-200+
Fabricant Maxim Integrated
La description IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5882 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)		1 pcs10 pcs25 pcs
$8.045$7.642$7.054
50 pcs100 pcs250 pcs
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Référence DS1225AB-200+ Fabricant Maxim Integrated
La description IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5882 pcs Fiche technique DS1225AB, AD
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 200ns
Tension - Alimentation 4.75 V ~ 5.25 V La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Package composant fournisseur 28-EDIP Séries -
Emballage Tube Package / Boîte 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 64Kb (8K x 8) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire NVSRAM Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
Numéro de pièce de base DS1225A Temps d'accès 200ns

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