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DS1225Y-200IND+

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Référence DS1225Y-200IND+
Fabricant Maxim Integrated
La description IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4091 pcs
Référence Prix
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Référence DS1225Y-200IND+ Fabricant Maxim Integrated
La description IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4091 pcs Fiche technique DS1225Y
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 200ns
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Package composant fournisseur 28-EDIP Séries -
Emballage Tube Package / Boîte 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 64Kb (8K x 8) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire NVSRAM Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP Temps d'accès 200ns

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