DS1270W-100IND
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| Référence | DS1270W-100IND |
|---|---|
| Fabricant | Maxim Integrated |
| La description | IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | DS1270W-100IND | Fabricant | Maxim Integrated |
|---|---|---|---|
| La description | IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5274 pcs | Fiche technique | DS1270W |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
| Tension - Alimentation | 3 V ~ 3.6 V | La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Package composant fournisseur | 36-EDIP | Séries | - |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Type de mémoire | Non-Volatile |
| Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | NVSRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (2M x 8) Parallel 100ns 36-EDIP | Numéro de pièce de base | DS1270W |
| Temps d'accès | 100ns |
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