DS3045W-100#
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| Référence | DS3045W-100# |
|---|---|
| Fabricant | Maxim Integrated |
| La description | IC NVSRAM 1M PARALLEL 256BGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | DS3045W-100# | Fabricant | Maxim Integrated |
|---|---|---|---|
| La description | IC NVSRAM 1M PARALLEL 256BGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4700 pcs | Fiche technique | DS3045W |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
| Tension - Alimentation | 3 V ~ 3.6 V | La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Package composant fournisseur | 256-BGA (27x27) | Séries | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | 256-BGA |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 5 (48 Hours) | Type de mémoire | Non-Volatile |
| Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | NVSRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 100ns 256-BGA (27x27) | Numéro de pièce de base | DS3045W |
| Temps d'accès | 100ns |
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